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商品型號:IMDQ75R007M2H

商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管

品牌:INFINEON

年份:25+

封裝:PG-HDSOP-22

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:2000

數(shù)量:
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公司名稱:

技術參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IMDQ75R007M2H
封裝
PG-HDSOP-22
描述
222 A、CoolSiC? 750V G2碳化硅MOSFET、7 mΩ

產品描述

IMDQ75R007M2H是(Infineon)推出的 CoolSiC? MOSFET ,屬于第二代產品,采用碳化硅(SiC)技術,主要規(guī)格包括:

FET 類型:N 通道

技術:SiCFET(碳化硅)

漏源電壓(Vdss):840 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):222A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,20V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):6.1 毫歐 @ 131.5A,20V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5.6V @ 28.9mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):171 nC @ 18 V

Vgs(最大值):+23V,-7V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):5922 pF @ 500 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):789W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應商器件封裝:PG-HDSOP-22


適用場景

?固態(tài)繼電器/隔離器?

?靜態(tài)開關應用?(如熔斷器、電路保護)

?高效率電源系統(tǒng)?(如逆變器、充電設備) ?

IMDQ75R007M2H通過優(yōu)化Crss/Ciss參數(shù)和VGS(th)閾值,實現(xiàn)了在保證安全性的同時提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。


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INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…

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