LSIC1MO120G0025器件是一款1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。LSIC1MO120G0025適用于需要高電壓和高電流的應(yīng)用場景，例如電源管理、電機控制、逆變器等工業(yè)和消費電子產(chǎn)品中?。

技術(shù)參數(shù)

封裝 / 箱體：TO-247-4

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流：100 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：32 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 5 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：4 V

Qg-柵極電荷：265 nC

最小工作溫度：- 55 C

最大工作溫度：+ 175 C

Pd-功率耗散：500 W

通道模式：Enhancement

商標(biāo)：IXYS

配置：Single

下降時間：10 ns

封裝：Tube

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

上升時間：10 ns

系列：LSIC1MO120G0xxx

典型關(guān)閉延遲時間：31 ns

典型接通延遲時間：17 ns

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