IMT65R033M2H是由英飛凌（Infineon）推出的第二代 650 V CoolSiC? MOSFET 碳化硅功率器件，采用 TOLL 封裝。該器件基于 ?CoolSiC? G2 技術(shù)?，通過改進(jìn)的 ?.XT 互連結(jié)構(gòu)? 降低熱阻，提升熱循環(huán)能力，突破傳統(tǒng)封裝的熱管理限制?。

IMT65R033M2H 參數(shù)

封裝 / 箱體：HSOF-8

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：68 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：41 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 7 V, + 23 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：5.6 V

Qg-柵極電荷：34 nC

工作溫度：- 55°C 至 + 175°C

Pd-功率耗散：312 W

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時(shí)間：4.8 ns

上升時(shí)間：9.1 ns

晶體管類型：1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：15 ns

典型接通延遲時(shí)間：8.8 ns

• 1.平臺(tái)上看到的庫(kù)存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。