IMBG65R048M1H CoolSiC? MOSFET 650 VSiC MOSFET 采用緊湊型 7 引腳 SMD 封裝，基于先進(jìn)的英飛凌碳化硅溝槽技術(shù)，適于大功率應(yīng)用。 該器件旨在提高系統(tǒng)性能，縮減尺寸，增強(qiáng)可靠性。

特征描述

低 Qrr 和 Qoss

低開關(guān)損耗

換向穩(wěn)健型快速體二極管

先進(jìn)溝槽技術(shù)帶來出色的柵極氧化物可靠性

采用 .XT 互連技術(shù)，實(shí)現(xiàn)卓越的熱性能

雪崩能力更強(qiáng)

SMD 封裝，可直接集成至 PCB

用于優(yōu)化開關(guān)性能的感測引腳

優(yōu)勢

高性能、高可靠性且易于使用

高系統(tǒng)效率和高功率密度

降低系統(tǒng)成本和復(fù)雜度

打造成本更低、結(jié)構(gòu)更簡單且尺寸更小的系統(tǒng)

采用連續(xù)硬換向拓?fù)?/span>

適于高溫和惡劣的工作環(huán)境

實(shí)現(xiàn)雙向拓?fù)?/span>

潛在應(yīng)用

服務(wù)器

電信

開關(guān)電源 (SMPS)

太陽能系統(tǒng)

儲能和電池系統(tǒng)

不間斷電源 (UPS)

電動汽車充電

電機(jī)驅(qū)動器

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