英飛凌 AIMDQ75R140M1H CoolSiC? MOSFET 750 V 是一款高度堅固的 SiC MOSFET，具有最佳的系統(tǒng)性能和可靠性。

CoolSiC?汽車用750V G1 SiC溝槽式MOSFET可幫助電動汽車制造商構建具有更高效率、功率密度和可靠性的11kW和22kW雙向車載充電器。這些器件在高溫（Tjmax +175°C）下可靠工作，采用英飛凌專有技術。XT芯片連接技術，可實現(xiàn)同類芯片尺寸中最佳的熱阻。

CoolSiC 750V G1技術具有極高的穩(wěn)健性，特別是在宇宙輻射下，因此非常適合用于超過500V的總線電壓。由于具有出色的雜散導通抗擾性，這些器件可以在零伏VGS 離級電壓（單極柵極驅(qū)動器）下安全驅(qū)動，從而降低系統(tǒng)復雜性、PCB面積占用和BOM數(shù)量。寬柵極-源極額定電壓（-5V至23V，VGS 靜態(tài)）可確保與雙極驅(qū)動兼容，提高設計靈活性。

特征

高度堅固的 750 V 技術

同類最佳的 RDS(on) x Qfr

出色的 Ron x Qoss 和 Ron x QG

同時具有低 Crss/Ciss 和高 Vgsth 性能

100% 經(jīng)過雪崩測試 

.XT 互連技術，具有同類最佳的散熱性能

尖端的頂部冷卻封裝

優(yōu)勢

卓越的硬開關效率

實現(xiàn)更高的開關頻率

可靠性更高

可承受超過 500 V 的總線電壓

對寄生匝的穩(wěn)健性

單極驅(qū)動

同類最佳的熱耗散

應用

固態(tài)繼電器 (SSR)

電動汽車車載電池充電器

電動汽車高壓 DC-DC 轉換器

高壓電子壓縮機

高壓 PTC 加熱器模塊

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