器件型號：SCT070H120G3AG

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：30A

器件封裝：H2PAK-7

介紹：這款汽車級碳化硅功率MOSFET采用意法半導體先進創(chuàng)新的第三代SiC MOSFET技術(shù)開發(fā)的。該器件在整個溫度范圍內(nèi)具有非常低的RDS(on)，結(jié)合低電容和非常高的開關(guān)操作，從而提高了頻率，能效，系統(tǒng)尺寸和重量減輕方面的應用性能。

特性

?通過AEC-Q101認證

?在整個溫度范圍內(nèi)非常低的RDS(on)

?高速交換性能

?非常快速和穩(wěn)健的內(nèi)在體二極管

?源感應引腳，提高效率

應用

?主逆變器(電力牽引)

?用于EV/HEV的DC/DC轉(zhuǎn)換器

?車載充電器(OBC)

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