IMYH200R100M1HXKSA1是溝槽式MOSFET，采用TO-247PLUS-4-HCC封裝。這些MOSFET設(shè)計(jì)用于在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度，即使在苛刻的高壓和開關(guān)頻率條件下也是如此。CoolSiC?技術(shù)具有低功耗，采用.XT互連技術(shù)，可靠性極高，可在各種應(yīng)用中提高效率。2000V MOSFET具有4.5V基準(zhǔn)柵極閾值電壓，開關(guān)損耗非常低。典型應(yīng)用包括儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、燈串逆變器和太陽能優(yōu)化器。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）

漏源電壓（Vdss）：2000 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：26A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：131 毫歐 @ 10A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 6mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：55 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+20V，-7V

功率耗散（最大值）：217W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO247-4-U04

封裝/外殼：TO-247-4

應(yīng)用

● 儲能系統(tǒng)

● EV充電

● 組列逆變器

● 太陽能電源優(yōu)化器

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