IPW65R018CM8是（Infineon）推出的650V CoolMOS? 8 代超結（SJ）MOSFET，屬于第三代功率半導體產(chǎn)品。以下是其核心參數(shù)：

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：116A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：18 毫歐 @ 55.6A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.7V @ 1.48mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：173 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：8290 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：521W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：PG-TO247-3

適用場景

功率因數(shù)校正（PFC）?：適用于高功率密度PFC電路設計

LLC諧振轉換器：在高頻開關場景下表現(xiàn)穩(wěn)定

電動汽車充電：支持快速充放電需求

固態(tài)斷路器（SSCB）?：提供額外的浪涌保護

IPW65R018CM8采用 XT互連技術 ，簡化設計流程，并具備低噪聲特性，適合對電磁兼容性要求高的場景。

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