IPP011N04NF2S 是采用 TO-220 封裝的 StrongIRFET? 2 40V 單N通道功率 MOSFET，具有1.15 mΩ 的極低 RDS(on)。該MOSFET優(yōu)化可用于包括電源管理 (SMPS) 、適配器、電機(jī)驅(qū)動、電池供電應(yīng)用、電池管理和不間斷電源 (UPS)。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：44A（Ta），201A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：1.15 毫歐 @ 100A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 249μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：315 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：15000 pF @ 20 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），375W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO220-3-U05

封裝/外殼：TO-220-3

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