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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號(hào):IPB015N06NF2S

商品名稱:IPB015N06NF2S

數(shù)據(jù)手冊(cè):IPB015N06NF2S.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:TO-263-3

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

聯(lián)系人:

聯(lián)系郵箱:

聯(lián)系電話:

公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號(hào)
IPB015N06NF2S
封裝
TO-263-3
描述
表面貼裝型 N 通道 60 V 37A(Ta),195A(Tc) 3.8W(Ta),250W(Tc) PG-TO263-3

產(chǎn)品描述

IPB015N06NF2S StrongIRFET? 2功率MOSFET是N溝道、正常電平、100%經(jīng)過雪崩測(cè)試的MOSFET。英飛凌StrongIRFET 2 MOSFET優(yōu)化用于各種應(yīng)用。這些MOSFET的VDS范圍為80V至100V,RDS(on)范圍為2.4mΩ至8.2mΩ。


產(chǎn)品屬性

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 195 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.1 V

Qg-柵極電荷: 155 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 250 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: StrongIRFET

系列: StrongIRFET 2

配置: Single

下降時(shí)間: 27 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 125 S

上升時(shí)間: 34 ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 65 ns

典型接通延遲時(shí)間: 27 ns

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常見問題

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INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…

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