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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號(hào)

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫(kù)存

購(gòu)買數(shù)量

單價(jià)

操作

APT80GA90LD40

產(chǎn)品說(shuō)明：絕緣柵雙極晶體管(IGBT) PT MOS 8 Combi 900 V 80 A TO-264

封裝：TO-264-3
10起
1500
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
APT75GN60LDQ3G

產(chǎn)品說(shuō)明：絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264

封裝：TO-264-3
10起
1500
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
APT50GN60BDQ2G

產(chǎn)品說(shuō)明：絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247

封裝：TO-247-3
10起
1500
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
APT35GP120BG

產(chǎn)品說(shuō)明：絕緣柵雙極晶體管(IGBT) PT MOS 7 Single 1200 V 35 A TO-247

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
APT35GN120L2DQ2G

產(chǎn)品說(shuō)明：絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX

封裝：TO-264-3
10起
1500
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
APT100GN60LDQ4G

產(chǎn)品說(shuō)明：絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264

封裝：TO-264-3
10起
1500
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
APT50GN60BDQ3G

產(chǎn)品說(shuō)明：絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247

封裝：TO-247-3
10起
1500
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
APT65GP60L2DQ2GQ

產(chǎn)品說(shuō)明：絕緣柵雙極晶體管(IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-264 MAX, RoHS

封裝：TO-247-3
10起
1500
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC080SMA120SA

產(chǎn)品說(shuō)明：1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

封裝：TO-263-7
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC060SMA070SA

產(chǎn)品說(shuō)明：700 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

封裝：TO-263-7
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC040SMA120SD

產(chǎn)品說(shuō)明：1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

封裝：D3PAK-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC035SMA070SC

產(chǎn)品說(shuō)明：700 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

封裝：D3PAK-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM120X10CTYZBNMG

產(chǎn)品說(shuō)明：1200V、HPD、三相橋 + 驅(qū)動(dòng)全選項(xiàng)混合動(dòng)力驅(qū)動(dòng) mSiC? MOSFET 模塊

封裝：Module
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC180SMA120SDT

產(chǎn)品說(shuō)明：1200V, 180 mΩ 碳化硅（SiC）N 溝道 MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC060SMA070SDT

產(chǎn)品說(shuō)明：700V，60 mΩ 碳化硅（SiC）N 溝道 MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC360SMA120SCT

產(chǎn)品說(shuō)明：1200V，360 mΩ 碳化硅（SiC）N 溝道 MOSFET

封裝：PSMT-16
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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