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革新電路保護:Qorvo 4mΩ SiC JFET 助力固態(tài)斷路器升級

革新電路保護:Qorvo 4mΩ SiC JFET 助力固態(tài)斷路器升級

來源:本站時間:2024-10-08瀏覽數(shù):

Qorvo推出了一款750V、4毫歐(mΩ)碳化硅(SiC)結型場效應晶體管(JFET)產品;其采用緊湊型無引腳表面貼裝(TOLL)封裝,可帶來卓越的斷路器設計和性能。點擊此處了解更多。“我們正處于斷路器技術下一輪革命的初期階段?!盦orvo業(yè)務發(fā)展經理Andy Wilson表示,“固態(tài)電…

Qorvo推出了一款750V、4毫歐(mΩ)碳化硅(SiC)結型場效應晶體管(JFET)產品;其采用緊湊型無引腳表面貼裝(TOLL)封裝,可帶來卓越的斷路器設計和性能。點擊此處了解更多。


“我們正處于斷路器技術下一輪革命的初期階段?!盦orvo業(yè)務發(fā)展經理Andy Wilson表示,“固態(tài)電路斷路器要在市場上取得成功,就必須能夠安裝在現(xiàn)有無散熱片或無需強制風冷的箱體內——對此,Qorvo所推出的這款JFET滿足了斷路器市場的三個要求:低電阻以減少發(fā)熱、小型化,以及耐用性強。”


Qorvo堅固耐用的JFET產品提供電路保護功能,并能在電路故障時切斷高浪涌電流。JFET的常開特性使其能夠無縫集成到開關必須在故障條件下關斷的系統(tǒng)中。


固態(tài)斷路器的優(yōu)勢


固態(tài)斷路器(SSCB)相較于傳統(tǒng)機械斷路器具有多項顯著優(yōu)勢。

? 更快的操作響應。SSCB能在微秒級中斷故障,遠快于需要幾毫秒才能跳閘的機械式斷路器;這種快速響應有助于防止設備受損并增強系統(tǒng)穩(wěn)定性。


? 無電弧產生。SSCB無活動觸點,消除了機械式斷路器在開關操作中因電弧而可能對設備造成損害的問題。


? 遠程操控性。SSCB可通過有線或無線連接實現(xiàn)遠程重置,而機械式斷路器則需現(xiàn)場手動重置。


? 電流額定值可編程。SSCB的電流額定值可編程且可調,而機械斷路器的電流額定值是固定的。


? 體積小巧、重量輕。SSCB比機械斷路器更緊湊、更輕便,因此非常適合電動汽車和飛機等空間受限的應用場景。


? 使用壽命更長。由于沒有活動部件,SSCB的使用壽命更長,不會像機械斷路器那樣易受磨損。


? 溫度適應性強。SSCB能在比機械斷路器更高的溫度下工作,且其工作溫度可根據(jù)需要進行設定。


? 限流能力。部分SSCB具有限制故障電流的能力,這是機械斷路器所不具備的。


盡管SSCB具有這些優(yōu)勢,但與機械斷路器相比,它們的主要挑戰(zhàn)包括成本更高、電壓/電流額定值有限,以及潛在的熱管理問題。


Qorvo的低導通電阻設計


Qorvo的UJ4N075004L8S設計在標準分立封裝的650V至750V等級功率器件中提供了業(yè)界最低的導通電阻(RDS(on))。如此低的RDS(on)顯著減少了熱量產生,加之采用緊湊型TOLL封裝,使得解決方案的尺寸比同類競品小40%。


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Qorvo功率器件的主要特點和優(yōu)勢包括:

? 4mΩ的超低導通電阻比同類硅基MOSFET、SiC MOSFET和GaN晶體管低4至10倍,從而提高了效率并降低了功率損耗。


? 750V的額定電壓為處理電壓瞬變提供了顯著增強的設計余v量,相比替代技術高出100至150V。


? TOLL封裝的占板面積相比D2PAK封裝小30%,高度僅為后者的一半,非常適合固態(tài)斷路器等空間受限的應用。


? 從結點到外殼的熱阻為0.1°C/W,處于行業(yè)領先地位,可實現(xiàn)有效散熱。


? 高電流額定值;在高達144°C的殼溫下,直流電流額定值為120A,脈沖電流可達588A(0.5毫秒),提供了強大的抗瞬態(tài)過載能力。


與傳統(tǒng)斷路器相比,Qorvo的SSCB極具優(yōu)勢,包括更快的故障中斷速度(微秒級,而機械斷路器需毫秒級),更強的系統(tǒng)穩(wěn)定性,并能有效預防設備損壞。此外,由于沒有電弧或活動觸點,更消除了磨損,延長了使用壽命。


Qorvo推出的750V 4毫歐SiC JFET采用TOLL封裝,標志著固態(tài)電路斷路器技術的重大進步;與傳統(tǒng)機械斷路器及其它半導體解決方案相比帶來更優(yōu)越的性能、效率和設計靈活性。UJ4N075004L8S型號目前已可提供樣品,并將于2024年第四季度全面投入量產,同時還將提供更多JFET選擇,包括額定電壓750V的5毫歐產品,及額定電壓1,200V的8毫歐型號,均采用TO-247封裝。

文章來源:Qorvo Power


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