東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件——第三代碳化硅（SiC）MOSFET “TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開關(guān)損耗。
8月31日消息，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件——第三代碳化硅（SiC）MOSFET “TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，已于今日開始出貨。
新產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%，從而使“漏源導(dǎo)通電阻柵漏電荷（RDS(ON)Qgd）”降低了大約80%，這是體現(xiàn)導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗間關(guān)系的重要指標(biāo)。這樣可以將開關(guān)損耗減少大約20%，同時降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。因此，新產(chǎn)品有助于提高設(shè)備效率。
東芝表示，未來這種 " 外延設(shè)備 + 外延片 + 器件 " 的 IDM 模式，有利于他們搶占鐵路、海上風(fēng)力發(fā)電、數(shù)據(jù)中心以及車載等市場。
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