最新資訊?HMC349ALP4CE是高度隔離的非反射式 100 MHz 至 4 GHz GaAs SPDT 開關(guān)，適用于無線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，如移動(dòng)無線電和測試設(shè)備?。產(chǎn)品介紹HMC349ALP4CE是一款工作頻率范圍為 100 MHz 至 4 GHz 的砷化鎵 (GaAs) 單刀雙擲 (SPDT) 開關(guān)。該開關(guān)具有隔離度高 (62 dB)、插入損耗低…
?HMC349ALP4CE是高度隔離的非反射式 100 MHz 至 4 GHz GaAs SPDT 開關(guān)，適用于無線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，如移動(dòng)無線電和測試設(shè)備?。
產(chǎn)品介紹
HMC349ALP4CE是一款工作頻率范圍為 100 MHz 至 4 GHz 的砷化鎵 (GaAs) 單刀雙擲 (SPDT) 開關(guān)。該開關(guān)具有隔離度高 (62 dB)、插入損耗低 (1.0 dB)、輸入 IP3 高 (53 dBm) 和輸入 P1dB 高 (34 dBm) 等特性，因此適用于無線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用。
HMC349ALP4CE使用電壓為 3 V 至 5 V 的單一正電源工作，并且提供一個(gè)與 CMOS/TTL 兼容的控制接口。此外，HMC349ALP4CE采用符合 RoHS 指令的 16 引腳 4 mm × 4 mm 引線框芯片尺寸級封裝 (LFCSP)。
HMC349ALP4CE主要特性包括：
非反射 50 Ω 設(shè)計(jì)
高隔離：2 GHz 時(shí)為 62 dB
低插入損耗：2 GHz 時(shí)為 1.0 dB
高輸入線性度
1 dB 功率壓縮 (P1dB)：34 dBm（典型值）
3 階交調(diào)點(diǎn) (IP3)：53 dBm（典型值）
高功率處理能力
33.5 dBm 直通路徑，VDD = 5 V
26.5 dBm 終止路徑
單一正電源：3 V 至 5 V
CMOS/TTL 兼容控制
全關(guān)閉狀態(tài)控制
16 引腳 4 mm × 4 mm LFCSP
引腳與 HMC8038 兼容
這些特性使得HMC349ALP4CE適用于無線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，如移動(dòng)無線電和測試設(shè)備?。
應(yīng)用領(lǐng)域
HMC349ALP4CE適用于無線基礎(chǔ)設(shè)施、移動(dòng)無線電和測試設(shè)備等應(yīng)用，因其高隔離度和低插入損耗特性，特別適合需要高性能開關(guān)的場景?。
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