隨著數據中心為了滿足人工智能計算的龐大處理需求而變得越來越耗電，提高能效變得至關重要。安森美最新一代T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V MOSFET的強大組合為數據中心應用提供了一種完整解決方案，該方案在更小的封裝尺寸下提供了無與倫比的能效和卓越的熱性能。與…
隨著數據中心為了滿足人工智能計算的龐大處理需求而變得越來越耗電，提高能效變得至關重要。安森美最新一代T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V MOSFET的強大組合為數據中心應用提供了一種完整解決方案，該方案在更小的封裝尺寸下提供了無與倫比的能效和卓越的熱性能。
與一般的搜索引擎請求相比，搭載人工智能的引擎需要消耗超過10倍的電力，預計在未來不到兩年的時間，全球數據中心的電力需求將達到約1,000太瓦時（TWh） 。從電網到處理器，電力需要經過四次轉換來為人工智能請求的處理提供電能，這可能導致約12%的電力損耗。通過使用T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V解決方案，數據中心能夠減少約1%的電力損耗。如果在全球的數據中心實施這一解決方案，每年可以減少約10太瓦時的能源消耗，相當于每年為近百萬戶家庭提供全年的用電量 。
EliteSiC 650V MOSFET提供了卓越的開關性能和更低的器件電容，可在數據中心和儲能系統(tǒng)中實現更高的效率。與上一代產品相比，新一代碳化硅(SiC) MOSFET的柵極電荷減半，并且將儲存在輸出電容(Eoss)和輸出電荷(Qoss)中的能量均減少了44%。與超級結 (SJ) MOSFET 相比，它們在關斷時沒有拖尾電流，在高溫下性能優(yōu)越，能顯著降低開關損耗。這使得客戶能夠在提高工作頻率的同時減小系統(tǒng)元件的尺寸，從而全面降低系統(tǒng)成本。
另外，T10 PowerTrench 系列專為處理對DC-DC功率轉換級至關重要的大電流而設計，以緊湊的封裝尺寸提供了更高的功率密度和卓越的熱性能。這是通過屏蔽柵極溝槽設計實現的，該設計具有超低柵極電荷和小于 1 毫歐的導通電阻RDS(on)。此外，軟恢復體二極管和較低的 Qrr 有效地減少了振鈴、過沖和電氣噪聲，從而確保了在壓力下的最佳性能、可靠性和穩(wěn)健性。T10 PowerTrench 系列還符合汽車應用所需的嚴格標準。
該組合解決方案還符合超大規(guī)模運營商所需的嚴格的開放式機架 V3 (ORV3) 基本規(guī)范，支持下一代大功率處理器。
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