IGW15N120H3FKSA1 1200V HighSpeed3 H3 IGBT器件是專門設(shè)計(jì)用于替代在開關(guān)頻率低于70kHz的應(yīng)用中的平面式 MOSFET，具有高效率和低開關(guān)損耗。該器件適用于包括焊接逆變器、太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）和所有硬開關(guān)應(yīng)用和軟開關(guān)應(yīng)用。

產(chǎn)品規(guī)格：

IGBT 類型：溝槽型場截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：30 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：60 A

不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，15A

功率 - 最大值：217 W

開關(guān)能量：1.55mJ

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：75 nC

25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：21ns/260ns

測試條件：600V，15A，35 歐姆，15V

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-3

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO247-3-1

基本產(chǎn)品編號(hào)：IGW15N120

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