TP65H100G4LSGB是 Renesas 推出的650V SuperGaN GaN FET ，采用 Gen IV 技術(shù)平臺，結(jié)合高電壓 GaN HEMT 與低電壓 硅MOSFET ，具備優(yōu)異可靠性及性能。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：18.9A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：110 毫歐 @ 12A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.1V @ 1.8mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：14.4 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：818 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：65.8W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-PQFN（8x8）

此外，TP65H100G4LSGB采用動態(tài)RDS(on) 效生產(chǎn)測試，設(shè)計時考慮了寬門限安全裕度，適用于工業(yè)自動化、電源管理等場景。

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