Micron LPDDR4內存優(yōu)化用于解決電池供電應用中的功耗問題。與DDR4相比，這些內存器件的峰值帶寬快33%。與標準DRAM相比，LPDDR4內存在待機模式下的功耗降低至1/5。這些內存器件采用多芯片封裝（MCP）和封裝體疊層（PoP）設計，可節(jié)省PCB空間。LPDDR4內存器件優(yōu)化了x16、x32和x64配置，可為某些應用節(jié)省BOM。LPDDR4內存在性能、功耗、延遲和物理空間之間實現(xiàn)了完美平衡，因此非常節(jié)能。這些LPDDR4內存器件適合用于手持設備、電池供電應用和超便攜設備。

MT53E1G32D2FW-046 AAT:A 器件規(guī)格

產品種類: 動態(tài)隨機存取存儲器

類型: SDRAM Mobile - LPDDR4

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: VFBGA-200

數(shù)據(jù)總線寬度: 32 bit

組織: 1 G x 32

存儲容量: 32 Gbit

最大時鐘頻率: 2.133 GHz

電源電壓-最大: 1.1 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 105 C

系列: 130S

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