CY62158GE30-45BVXI 是一款帶嵌入式 ECC 的高性能 CMOS 低功耗 (MoBL) SRAM 器件。

通過將兩個芯片使能輸入（CE1 為低電平，CE2 為高電平）置位來訪問器件。

CY62158GE30-45BVXI 的特性

超低待機功耗

典型待機電流：1.4 μA

最大待機電流：6.5 μA

高速：45 毫微秒

用于單位糾錯的嵌入式糾錯碼（ECC）[1, 2］

工作電壓范圍：2.2 V 至 3.6 V

1.0 V 數(shù)據(jù)保持

晶體管-晶體管邏輯 (TTL) 兼容輸入和輸出

提供無鉛 48 球 VFBGA 和 44 引腳 TSOP II 封裝

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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