SCTWA60N120G2-4 1200V 碳化硅功率MOSFET將寬禁帶材料的先進(jìn)性和可靠性引入到更廣泛的節(jié)能應(yīng)用中，如用于電動/混合動力汽車、太陽能或風(fēng)力發(fā)電、高效驅(qū)動器、電源和智能電網(wǎng)設(shè)備的逆變器。該功率MOSFET采用HiP247-4封裝，具有52m?（典型值）和60A（額定值）特性。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：60A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：52 毫歐 @ 30A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：94 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1969 pF @ 800 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：388W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 200°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-4

封裝/外殼：TO-247-4

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