NTMTS0D7N04CTXG器件是一款采用ON半導(dǎo)體的先進(jìn)Power Trench工藝（結(jié)合屏蔽柵極技術(shù)）制造而成的40V N溝道功率MOSFET。該工藝經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度地降低導(dǎo)通電阻，另外還采用出色的軟體二極管，可保持卓越的開關(guān)性能。NTMTS0D7N04C具有420A連續(xù)漏極電流 (ID) 和0.67mΩ（最大值）低漏極-源極導(dǎo)通電阻 (RDS(on)）。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：65A（Ta），420A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：0.67 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：140 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：9230 pF @ 25 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：4.9W（Ta），205W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：8-DFNW（8.3x8.4）

封裝/外殼：8-PowerTDFN

基本產(chǎn)品編號：NTMTS0

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