IPDQ60T010S7是一款600 V CoolMOS S7T功率MOSFET。

英飛凌的高性能 CoolMOS? SJ MOSFET 技術(shù)可以輕松設(shè)計(jì)速度更快、品質(zhì)卓越的新型高功率產(chǎn)品。 S7 系列高壓超級結(jié) MOSFET將 22 mOhm 芯片內(nèi)置于創(chuàng)新的小型 TO 無引線 (TOLL) SMD 封裝中，為功率密度樹立了新的基準(zhǔn)。

產(chǎn)品屬性：

技術(shù)：Si

安裝風(fēng)格：SMD/SMT

封裝 / 箱體：PG-HDSOP-22

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：600 V

Id-連續(xù)漏極電流：174 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：10 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：4 V

Qg-柵極電荷：318 nC

工作溫度：- 55°C 至 + 150°C

Pd-功率耗散：694 W

通道模式：Enhancement

封裝：Reel

封裝：Cut Tape

商標(biāo)：Infineon Technologies

配置：Single

下降時(shí)間：9 ns

產(chǎn)品類型：MOSFETs

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