NXH010P120M3F1PTG是一款功率模塊，在F1封裝中包含10 mohm / 1200 V SiC MOSFET半橋和一個(gè)氧化鋁(AL2O3) DBC熱敏電阻。SiC MOSFET開(kāi)關(guān)采用M3S技術(shù)，由18V-20V柵極驅(qū)動(dòng)。

NXH010P120M3F1PTG的規(guī)格：

配置：Half-Bridge

下降時(shí)間：15 ns

高度：12.35 mm

Id-連續(xù)漏極電流：105 A

長(zhǎng)度：63.3 mm

最大工作溫度：+ 150°C

最小工作溫度：- 40°C

安裝風(fēng)格：Chassis

通道數(shù)量：2 Channel

封裝 / 箱體：PIM-18

封裝：Tray

Pd-功率耗散：272 W

產(chǎn)品：SiC MOSFET Modules

產(chǎn)品類型：MOSFET Modules

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：14.5 mOhms

上升時(shí)間：15 ns

系列：NXH010P120M3F1PTG

工廠包裝數(shù)量：28

子類別：Discrete and Power Modules

技術(shù)：SiC

晶體管極性：N-Channel

類型：Power Module

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：98 ns

典型接通延遲時(shí)間：23 ns

Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV

Vgs - 柵極-源極電壓：- 10 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：4.4 V

寬度：34.1 mm

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