IQFH39N04NM6是OptiMOS? 6 40 V 功率 MOSFET，采用緊湊型高性能 PQFN 8x6 封裝，具有超低 RDS(on)。

參數(shù)： IQFH39N04NM6

ID (@25°C) 最大： 600 A

最低和最高工作溫度： -55 °C 175 °C

封裝： PQFN 8x6

極性： N

QG（典型值 @10V）： 182 nC

RDS（導(dǎo)通）（@10V）： 最大 0.39 mΩ

VDS 最大值： 40 V

VGS(th) 最小值 最大值： 2.3 V 1.8 V 2.8 V

優(yōu)勢

傳導(dǎo)損耗最小

高功率能力

卓越的器件性能

降低電壓過沖

優(yōu)異的熱性能

可重復(fù)使用多功率等級電路板

優(yōu)異的開關(guān)性能/EMI

這為電池供電應(yīng)用、電池管理、低壓驅(qū)動和 SMPS 等各種終端應(yīng)用提供了更高的系統(tǒng)效率和功率密度。

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。