CY15B104QN-50BFXI是一款采用先進(jìn)鐵電工藝的低功耗 4-Mb 非易失性存儲(chǔ)器。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或 F-RAM 是一種非易失性存儲(chǔ)器，其讀寫功能與 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時(shí)消除了串行閃存、EEPROM 和其他非易失性存儲(chǔ)器帶來的復(fù)雜性、開銷和系統(tǒng)級(jí)可靠性問題。

CY15B104QN-50BFXI產(chǎn)品屬性：

類別：存儲(chǔ)器    

存儲(chǔ)器類型： 非易失  

存儲(chǔ)器格式： FRAM  

技術(shù)： FRAM（鐵電體 RAM）  

存儲(chǔ)容量： 4Mb  

存儲(chǔ)器組織 ：512K x 8  

存儲(chǔ)器接口： SPI  

時(shí)鐘頻率： 50 MHz  

訪問時(shí)間： 8 ns  

電壓 - 供電 ：1.8V ~ 3.6V  

工作溫度： -40°C ~ 85°C（TA）  

安裝類型： 表面貼裝型  

封裝/外殼： 8-UFLGA  

供應(yīng)商器件封裝： 8-UFLGA（3.28x3.23） 

這些功能使 CY15X104QN 成為需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用的理想選擇。例如，在數(shù)據(jù)采集中，寫入周期的次數(shù)可能至關(guān)重要；在要求苛刻的工業(yè)控制中，串行閃存或 EEPROM 的寫入時(shí)間過長可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。

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