40V集成電路芯片NVMYS2D1N04CLTWG單N溝道晶體管LFPAK4

產(chǎn)品描述

NVMYS2D1N04CLTWG是N溝道單場效應(yīng)管MOSFET晶體管，低RDS（開）可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗，小占地面積（5x6 mm），設(shè)計(jì)緊湊，封裝為LFPAK4。

產(chǎn)品屬性

Vds-漏極-源極擊穿電壓：40 V

Id-連續(xù)漏極電流：139 A

Rds開-漏極-源極電阻：2.15毫歐姆

Vgs-柵極-源極電壓：-20 V，+20 V

Vgs th-柵極-源極閾值電壓：1.2 V

Qg-柵極電荷：50 nC

最低工作溫度：-55攝氏度

最高工作溫度：+175攝氏度

Pd-功耗：83 W

配置：單個

下降時間：9.4納秒

正向跨導(dǎo)-最小值：116 S

產(chǎn)品類型：MOSFET

上升時間：8.3納秒

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