IPP339N20NM6是N 通道MOSFET，正常電平，極低的開電阻 RDS（導通），是卓越的柵極充電 x 開路電阻產(chǎn)品（FOM）。極低反向恢復電荷（Qrr），高雪崩能級，175°C 工作溫度，無鉛鍍層，符合 RoHS 標準。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：6.8A (Ta), 39A (Tc)

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V，15V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：31.8mOhm @ 26A, 15V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 52μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：24 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1600 pF @ 100 V

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），125W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：PG-TO220-3-1

封裝/外殼：TO-220-3

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