功率 MOSFET IQDH88N06LM5CGATMA1 60V 采用 PQFN 5x6 mm2 下源封裝。該器件具有業(yè)界最低的 0.88 mΩ RDS(ON)，并具有出色的熱性能，便于功率損耗管理。

特點

尖端硅技術(shù) OptiMOS? 60 V，具有出色的 FOM

源降封裝，具有更高的熱性能和超低寄生電阻

源極降低封裝，芯片/封裝比最大化

采用中心柵基底面的源下式封裝

優(yōu)勢

傳導(dǎo)損耗最小

降低電壓過沖

提高最大電流能力

快速開關(guān)

所需的器件并聯(lián)更少

中心柵極基底面實現(xiàn)了優(yōu)化并行化

在 5x6 平方毫米印刷電路板面積上實現(xiàn)極低的 RDS(on)

熱性能提高，便于熱管理

最低封裝寄生，實現(xiàn)最佳開關(guān)性能

行業(yè)標(biāo)準封裝

潛在應(yīng)用

SMPS

服務(wù)器

數(shù)據(jù)通信

高性能計算

電信

折疊

驅(qū)動器

電池供電工具

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