SemiQ推出半橋封裝的高性能QSiC電源模塊，新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲(chǔ)能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運(yùn)行。

器件：GCMX010A120B3B1P

類型：SiC半橋模塊

產(chǎn)品屬性

技術(shù)：碳化硅（SiC）

配置：2 個(gè) N 通道（半橋）

FET 功能：碳化硅（SiC）

漏源電壓（Vdss）：1200V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：173A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：14 毫歐 @ 100A，20V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4V @ 40mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：483nC @ 20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：13800pF @ 800V

功率 - 最大值：577W（Tc）

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

等級(jí)：-

資質(zhì)：-

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

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