IKQ120N65EH7英飛凌科技650 V TRENCHSTOP? IGBT7 H7分立晶體管采用先進(jìn)的技術(shù)，可滿足高效能源應(yīng)用的需求。英飛凌科技650 V晶體管采用先進(jìn)的微模式溝槽設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)精確控制和高性能。該設(shè)計(jì)可顯著降低組串式逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)、電動(dòng)汽車充電、工業(yè)UPS和焊接等不同行業(yè)的損耗、提高效率和功率密度。

產(chǎn)品屬性

IGBT 類型：溝槽型場(chǎng)截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：160 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：480 A

不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)（最大值）：1.65V @ 15V，120A

功率 - 最大值：498 W

開關(guān)能量：4.2mJ（導(dǎo)通），3.7mJ（關(guān)斷）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：251 nC

25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：38ns/287ns

測(cè)試條件：400V，120A，10 歐姆，15V

反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：82 ns

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-3

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO247-3-46

應(yīng)用

● 工業(yè)UPS

● 電動(dòng)車充電

● 燈串逆變器

● 焊接

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