STM32MP135CAG3器件提供了一個外部SDRAM接口，支持高達8-Gbit密度（1Gbyte）的外部存儲器、16位LPDDR2/LPDDR3或高達533 MHz的DDR3/DDR3L。

STM32MP135CAG3器件集成了具有168KB內(nèi)部SRAM的高速嵌入式存儲器（包括128KB AXI SYSRAM、兩組8KB和一組16KB可保密AHB SRAM以及備份域的8KB SRAM），以及連接到APB總線、AHB總線和支持內(nèi)部和外部存儲器訪問的64位多層AXI互連的大量增強型I/O和外設(shè)。

特點

1.71 V至3.6 V I/Os電源（5 V耐受I/Os）

POR、PDR、PVD和BOR

片上LDO（USB 1.8 V、1.1 V）

后備穩(wěn)壓器（~0.9 V）

內(nèi)部溫度傳感器

低功耗模式： 睡眠、停止、LPLV-Stop、LPLVStop2和待機

待機模式下的DDR保留

對PMIC配套芯片的控制

時鐘管理

內(nèi)部振蕩器： 64 MHz HSI振蕩器，4 MHz CSI振蕩器，32 kHz LSI振蕩器

外部振蕩器： 8-48 MHz HSE振蕩器，32.768 kHz LSE振蕩器

4×PLL，帶小數(shù)模式

通用輸入/輸出

多達135個具有中斷能力的安全I/O端口

多達6個喚醒功能

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