GS66508B-MR是一款增強型氮化鎵-硅功率晶體管。GaN 的特性可實現(xiàn)高電流、高電壓擊穿和高開關頻率。GaN Systems 利用獲得專利的 Island Technology? 和 GaNPX? 封裝等業(yè)界領先的先進技術進行創(chuàng)新。Island Technology? 單元布局實現(xiàn)了大電流芯片和高產量。GaNPX? 封裝在小型封裝中實現(xiàn)了低電感和低熱阻。GS66508B-MR是底部冷卻型晶體管，具有極低的結殼熱阻，適用于要求苛刻的高功率應用。這些特性結合在一起，可提供極高效率的功率開關。

特性

650 V 增強型功率晶體管

底部冷卻配置

RDS(on) = 50 mΩ

IDS(max) = 30 A

超低 FOM Island Technology? 芯片

低電感 GaNPX? 封裝

簡單的柵極驅動要求（0 V 至 6 V）

瞬態(tài)容差柵極驅動（-20 V / +10 V）

開關頻率極高（> 10 MHz）

快速可控的下降和上升時間

反向電流能力

零反向恢復損耗

小巧的 7.0 x 8.4 mm2 PCB 基底面

源極檢測 (SS) 引腳可優(yōu)化柵極驅動

符合 RoHS 3 (6+4) 標準

應用

AC-DC 轉換器

直流-直流轉換器

無電橋圖騰柱 PFC

逆變器

儲能系統(tǒng)

車載電池充電器

不間斷電源

太陽能

工業(yè)電機驅動器

家用電器

激光驅動器

無線電力傳輸

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