IQE022N06LM5CGSC是 OptiMOS? N 溝道功率晶體管 8-PowerWDFN 表面貼裝型。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏極至源極電壓 (Vdss):60 V

電流 - 25°C 時的連續(xù)漏極 (Id)：24A (Ta)，151A (Tc)

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

Rds On（最大）@ Id，Vgs：2.2mOhm @ 20A，10V

柵極電荷（Qg）（最大值）@ Id：2.3V @ 48μA

柵極電荷 (Qg)（最大值）@ Vgs：53 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

輸入電容 (Ciss)（最大值）@ Vds：4420 pF @ 30 V

功率耗散（最大值）：2.5W (Ta)，100W (Tc)

工作溫度：-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型：表面貼裝

特點

針對高性能 SMPS（如同步整流）進行了優(yōu)化

N 溝道，邏輯電平

極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)

優(yōu)異的熱阻

100% 通過雪崩測試

無鉛電鍍；符合 RoHS 規(guī)范

無鹵素，符合 IEC61249-2-21 標(biāo)準(zhǔn)

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