IPT65R190CFD7功率MOSFET采用創(chuàng)新型無引線SMD TO (TOLL) 封裝（采用開爾文源極概念）。G7 MOSFET將經(jīng)過改進(jìn)的600V和650V CoolMOS? G7技術(shù)、4引腳開爾文源極功能以及無引線TO封裝的更高熱性能相結(jié)合。因此，該SMD解決方案適合用于大電流硬開關(guān)拓?fù)?，如高達(dá)3kW的功率因數(shù)校正 (PFC)。600V CoolMOS? G7 MOSFET可用于高端LLC等諧振電路。

特性

● 同類最佳FOM RDS(on) x Eoss和RDS(on)x QG

● 同類最佳RDS(on)，占位極小

● 內(nèi)置4引腳開爾文源極配置和低寄生源極電感 (~1nH)

● 達(dá)到MSL1級(jí)、完全不含鉛、設(shè)有便于目視檢查的槽紋引線

● 改善了熱性能

● 通過開爾文源極降低了寄生源極電感，從而提高了開關(guān)效率和易用性

● TOLL封裝簡(jiǎn)便易用，具有最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用

● 電信

● 服務(wù)器

● 太陽能

● 工業(yè)SMPS

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