描述：表面貼裝型 N 通道 100 V 120A（Tj） 405W（Tc） D2PAK

產(chǎn)品屬性

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個  

制造商 Nexperia USA Inc.  

系列 -  

包裝 卷帶（TR）剪切帶（CT）

FET 類型 N 通道  

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss） 100 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 120A（Tj）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） 4.8 毫歐 @ 25A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 4V @ 1mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 278 nC @ 10 V  

Vgs（最大值） ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 14400 pF @ 50 V  

FET 功能 -  

功率耗散（最大值） 405W（Tc）  

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝 D2PAK  

封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB  

基本產(chǎn)品編號 PSMN4R8  

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