IAUZ40N06S5N050 MOSFET的設(shè)計符合提升系統(tǒng)效率的需求，同時可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件，這些器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。該產(chǎn)品采用新型硅技術(shù)，經(jīng)優(yōu)化可達到并超過能源效率和功率密度要求。這些MOSFET的典型應(yīng)用包括計算領(lǐng)域中的服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信和客戶端應(yīng)用。它們還可用于開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的同步整流以及電機控制、微型太陽能逆變器和快速開關(guān)直流/直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：40A（Tj）

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：5 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 29μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：30.5 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2200 pF @ 30 V

功率耗散（最大值）：71W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-TSDSON-8-33

封裝/外殼：8-PowerTDFN

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