BSM300C12P3E201功率模塊是在一個封裝中集成了SiC SBD和SiC MOSFET的半橋SiC模塊。這類模塊能在減少開關損耗的同時高頻運行。與現(xiàn)有解決方案相比，此優(yōu)化設計減少了雜散電感。另外，為了防止發(fā)生過熱情況，還提供了集成其他熱敏電阻的E型模塊。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：300A（Tc）

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 80mA

Vgs（最大值）：+22V，-4V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：15000 pF @ 10 V

功率耗散（最大值）：1360W（Tc）

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

供應商器件封裝：模塊

封裝/外殼：模塊

應用

● 感應加熱用逆變器

● 電機驅動逆變器

● 雙向轉換器

● 太陽能逆變器

● 功率調節(jié)器

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