商品名稱：IPD60R2K0PFD7S
數(shù)據(jù)手冊(cè)：
IPD60R2K0PFD7S.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：TO-252-3
貨期：全新原裝
庫(kù)存數(shù)量：1000 件
IPD60R2K0PFD7S 是 600V CoolMOS? PFD7 超級(jí)結(jié) MOSFET 晶體管，采用 TO-252 DPAK 封裝。產(chǎn)品主要用于超高密度充電器、適配器和低功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。
特性概述
極低的 FOM RDS(on) x Eoss
集成式堅(jiān)固快速體二極管
高達(dá) 2kV 的 ESD 保護(hù)
廣泛的 RDS(on) 值范圍
出色的換向堅(jiān)固性
低 EMI
廣泛的封裝組合
潛在應(yīng)用
消費(fèi)類
高密度充電器和適配器
USB PD
冰箱
風(fēng)扇
水泵
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封裝
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要，在這些應(yīng)用中，價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…
ISZ056N03LF2S
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ISZ033N03LF2S
ISZ033N03LF2S是（Infineon）推出的109 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET，主要針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。以下是其關(guān)鍵參數(shù)：FET 類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：30 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：20A（Ta），…
IPD030N03LF2S
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IPD040N03LF2S
IPD040N03LF2S是一款73 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET，主要針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。該設(shè)備具有很高的能效，可提高系統(tǒng)的整體性能，同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。IPD040N03LF2S典型應(yīng)用包括開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電設(shè)…
IPT65R025CM8
IPT65R025CM8是一款根據(jù)超級(jí)結(jié)（SJ）原理設(shè)計(jì)的101 A、CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET，具有低開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗。該款MOSFET具有低振鈴特性及PFC與PWM級(jí)通用性，可實(shí)現(xiàn)快速設(shè)計(jì)導(dǎo)入。IPT65R025CM8采用先進(jìn)的芯片連接技術(shù)，可簡(jiǎn)化熱管理。此外，IPT65R025CM8符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，且…電話咨詢：86-755-83294757
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