商品名稱:BSC034N10LS5
數(shù)據(jù)手冊:BSC034N10LS5.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:8-PowerTDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
BSC034N10LS5 是 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 邏輯級晶體管,非常適合充電、適配器和電信應(yīng)用。該器件的柵極電荷低,可在不影響傳導(dǎo)損耗的情況下降低開關(guān)損耗。邏輯電平 MOSFET 可在高開關(guān)頻率下工作,由于柵極閾值電壓較低,可直接由微控制器驅(qū)動。
特性概述
小封裝、低 RDS(on)
低柵極電荷
較低的輸出電荷
邏輯電平兼容性
優(yōu)勢
更高的功率密度設(shè)計
開關(guān)頻率更高
只要有 5V 電源,就能減少零件數(shù)量
直接由微控制器驅(qū)動(開關(guān)速度慢)
降低系統(tǒng)成本
潛在應(yīng)用
充電器
適配器
電信
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…ISZ056N03LF2S
ISZ056N03LF2S是(Infineon)推出的StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有 72 A 電流,主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。ISZ056N03LF2S具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET…ISZ033N03LF2S
ISZ033N03LF2S是(Infineon)推出的109 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。以下是其關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):20A(Ta),…IPD030N03LF2S
IPD030N03LF2S是【Infineon】推出的一款99 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD030N03LF2S主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。以下是其核心特性:針對各種應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化N溝…IPD040N03LF2S
IPD040N03LF2S是一款73 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。該設(shè)備具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD040N03LF2S典型應(yīng)用包括開關(guān)模式電源 (SMPS)、電機(jī)驅(qū)動器、電池供電設(shè)…IPT65R025CM8
IPT65R025CM8是一款根據(jù)超級結(jié)(SJ)原理設(shè)計的101 A、CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET,具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗。該款MOSFET具有低振鈴特性及PFC與PWM級通用性,可實現(xiàn)快速設(shè)計導(dǎo)入。IPT65R025CM8采用先進(jìn)的芯片連接技術(shù),可簡化熱管理。此外,IPT65R025CM8符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),且…電話咨詢:86-755-83294757
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