IMW65R030M1HXKSA1 650V CoolSiC? MOSFET 基于先進的溝槽半導(dǎo)體技術(shù)，并經(jīng)過優(yōu)化，在毫不折衷的情況下，在應(yīng)用中實現(xiàn)最低損耗，并在運行中實現(xiàn)最佳可靠性。 此 SiC MOSFET 采用 TO247-3 引腳封裝，以提供經(jīng)濟高效的性能。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：58A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：42 毫歐 @ 29.5A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 8.8mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：48 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+20V，-2V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1643 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：197W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO247-3-41

封裝/外殼：TO-247-3

基本產(chǎn)品編號：IMW65R

典型應(yīng)用包括服務(wù)器，電信系統(tǒng)，SMPS，太陽能系統(tǒng)，儲能和電池信息，UPS，電動汽車充電和電機驅(qū)動器。

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