IMZA65R048M1H 650V CoolSiC? MOSFET 基于先進的溝槽半導體技術，并經過優(yōu)化，在毫不折衷的情況下，在應用中實現(xiàn)最低損耗，并在運行中實現(xiàn)最佳可靠性。該器件采用 TO247-4 引腳封裝，可降低源極寄生電感對門極電路的影響，從而加快開關速度，提高效率。

器件：IMZA65R048M1HXKSA1

FET 類型：N 通道

技術：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：39A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：64 毫歐 @ 20.1A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 6mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：33 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+23V，-5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1118 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：125W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：PG-TO247-4-3

封裝/外殼：TO-247-4

基本產品編號：IMZA65

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