GNP1070TC-ZE2采用低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)來提高電源轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內(nèi)置ESD保護(hù)和出色的散熱性能，方便安裝。應(yīng)用包括高開關(guān)頻率和高密度轉(zhuǎn)換器。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：20A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，5.5V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：98 毫歐 @ 1.9A，5.5V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 18mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：5.2 nC @ 6 V

Vgs（最大值）：+6V，-10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：200 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：56W（Tc）

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：DFN8080K

封裝/外殼：8-PowerDFN

應(yīng)用

● 高切換頻率轉(zhuǎn)換器

● 高密度轉(zhuǎn)換器

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